Vesselin Todorov Dontchev | University of Sofia - Bulgaria

• Processo: 07/59586-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 02 de junho de 2008
• Data de Término da vigência: 01 de agosto de 2008
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Fernando Iikawa
• Beneficiário: Fernando Iikawa
• Pesquisador visitante: Vesselin Todorov Dontchev
• Instituição do Pesquisador Visitante: Sofia University St. Kliment Ohridski, Bulgária
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Heteroestruturas Fosfeto de índio Propriedades ópticas Pontos quânticos Semicondutores Arsenieto de gálio Intercâmbio de pesquisadores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Excitons | Heterostructures | Inp | Optical Properties | Quantum Dots | Semiconductors

Resumo

O objetivo é investigar as propriedades ópticas de multicamadas de pontos quânticos de InP/GaAs crescidas por CBE. Este trabalho faz parte do projeto de colaboração científica iniciado há um ano. Durante a sua visita por dois meses o Prof. Vesselin Dontchev irá investigar os efeitos da separação entre os pontos quânticos, bem como, efeitos de diferentes condições de' interfaces nas propriedades ópticas das multicamadas de pontos quânticos. A partir desse estudo pretendemos obter informações como a distribuição espacial de elétrons e buracos nos pontos quânticos acoplados, lembrando que a interface InP/GaAs é do tipo-II. (AU)