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Vesselin Todorov Dontchev | University of Sofia - Bulgaria

Processo: 07/59586-3
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
Data de Início da vigência: 02 de junho de 2008
Data de Término da vigência: 01 de agosto de 2008
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Fernando Iikawa
Beneficiário:Fernando Iikawa
Pesquisador visitante: Vesselin Todorov Dontchev
Instituição do Pesquisador Visitante: Sofia University St. Kliment Ohridski, Bulgária
Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Heteroestruturas  Fosfeto de índio  Propriedades ópticas  Pontos quânticos  Semicondutores  Arsenieto de gálio  Intercâmbio de pesquisadores 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Excitons | Heterostructures | Inp | Optical Properties | Quantum Dots | Semiconductors

Resumo

O objetivo é investigar as propriedades ópticas de multicamadas de pontos quânticos de InP/GaAs crescidas por CBE. Este trabalho faz parte do projeto de colaboração científica iniciado há um ano. Durante a sua visita por dois meses o Prof. Vesselin Dontchev irá investigar os efeitos da separação entre os pontos quânticos, bem como, efeitos de diferentes condições de' interfaces nas propriedades ópticas das multicamadas de pontos quânticos. A partir desse estudo pretendemos obter informações como a distribuição espacial de elétrons e buracos nos pontos quânticos acoplados, lembrando que a interface InP/GaAs é do tipo-II. (AU)

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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