1) band structure of holes in p-&-doping superlattices. 2) electronic structure of n-type &-doping multiple layers and superlattices in silicon.

• Processo: 94/01950-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 10 de agosto de 1994
• Data de Término da vigência: 12 de agosto de 1994
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro
• Beneficiário: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Silício Teoria Super-redes Estrutura eletrônica Arsenieto de gálio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Estrutura Eletronica | Gaas | S-Doping | Silicio | Super-Redes | Teoria