Anomalia na tensao de limiar de transistores soi mosfet induzida pelo efeito do substrato em baixa temperatura.

• Processo: 95/06751-8
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
• Data de Início da vigência: 07 de dezembro de 1995
• Data de Término da vigência: 08 de dezembro de 1995
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: Marcelo Antonio Pavanello
• Beneficiário: Marcelo Antonio Pavanello
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Baixa temperatura Transistores SOI Tensão de limiar
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Baixa Temperatura | Tensao De Limiar | Transistores Soi