Efects of facet head-on light ion-irradiation in angap/gaas/ingaas quantum well lasers.

• Processo: 01/03692-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 06 de maio de 2001
• Data de Término da vigência: 11 de maio de 2001
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Newton Cesario Frateschi
• Beneficiário: Newton Cesario Frateschi
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Laser
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Espelho | Laser | Semicondutor