2009 International Conference on Solid State Devices and Materials - SSDM 2009

• Processo: 09/10393-4
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 06 de outubro de 2009
• Data de Término da vigência: 09 de outubro de 2009
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Ioshiaki Doi
• Beneficiário: Ioshiaki Doi
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Microeletrônica CMOS
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Cmos | gate materials | low-frequency noise | Microeletrônica | poly-SiGe | Materiais e Componentes Semicondutores