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Exafs investigation on sb incorporation effects to electrical transport in sno2 thin films deposited by sol-gel electron trapping of laser induced carriers in er doped sno2 thin films.

Processo: 06/00526-9
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
Data de Início da vigência: 18 de junho de 2006
Data de Término da vigência: 22 de junho de 2006
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Luis Vicente de Andrade Scalvi
Beneficiário:Luis Vicente de Andrade Scalvi
Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
Assunto(s):Condutividade elétrica  Defeitos  Processo sol-gel  Espectroscopia por absorção de raios X  Terras raras  Dióxido de estanho 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Condutividade Eletrica | Defeitos | Dioxido De Estanho | Exafs | Sol Gel | Terras Raras | Semicondutores óxidos
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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