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Infrared reflection probing of the morphology of porous semiconductor structures.

Processo: 01/03855-0
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
Data de Início da vigência: 16 de julho de 2001
Data de Término da vigência: 03 de agosto de 2001
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Iouri Poussep
Beneficiário:Iouri Poussep
Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Defeitos  Super-redes 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Defects | Disorder | Magnetoptica | Raman Espalhamento | Superredes
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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