Infrared reflection probing of the morphology of porous semiconductor structures.

• Processo: 01/03855-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 16 de julho de 2001
• Data de Término da vigência: 03 de agosto de 2001
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Iouri Poussep
• Beneficiário: Iouri Poussep
• Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Defeitos Super-redes
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Defects | Disorder | Magnetoptica | Raman Espalhamento | Superredes