A simple model for a new soi mosfet with asymmetric trapezoidal gate.

• Processo: 02/13703-5
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 26 de março de 2003
• Data de Término da vigência: 28 de março de 2003
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Renato Camargo Giacomini
• Beneficiário: Renato Camargo Giacomini
• Instituição Sede: Centro Universitário FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo. São Bernardo do Campo , SP, Brasil
• Assunto(s): Transistores MOSFET
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Model | Mosfet | Silicon On Insulator | Trapezoidal Gate