An improved current model for edgeless soi mosfets.

• Processo: 03/08201-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil
• Data de Início da vigência: 08 de setembro de 2003
• Data de Término da vigência: 11 de setembro de 2003
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Renato Camargo Giacomini
• Beneficiário: Renato Camargo Giacomini
• Instituição Sede: Centro Universitário FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo. São Bernardo do Campo , SP, Brasil
• Assunto(s): Transistores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Edgeless | Modeling | Soi Technology | Transistor