Busca avançada
Ano de início
Entree

Effect of kinetics on the nucleation of thin inas films on inp by chemical beam epitaxy.

Processo: 96/00952-4
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
Data de Início da vigência: 21 de abril de 1996
Data de Término da vigência: 26 de abril de 1996
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Mônica Alonso Cotta
Beneficiário:Mônica Alonso Cotta
Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:94/00538-8 - Estudo de processo de crescimento de compostos III-V por epitaxia de feixe químico e sua aplicação em dispositivos óticos de guias de onda, AP.TEM
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Chemical Beam Epitaxy | Inas/Inp | Kinetics | Nucleation
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
Mais itensMenos itens
Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias ( ):
Mais itensMenos itens
VEICULO: TITULO (DATA)
VEICULO: TITULO (DATA)