Crescimento e caracterizacao de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras.

• Processo: 01/00140-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2001
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2003
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Gilberto Medeiros Ribeiro
• Beneficiário: Carlos César Bof Bufon
• Instituição Sede: Associação Brasileira de Tecnologia de Luz Síncrotron (ABTLuS). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). Campinas , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 98/14757-4 - Materiais nanoestruturados investigados por microscopias de tunelamento e força atômica através de medidas de transporte, AP.JP
• Assunto(s): Microscopia de força atômica Materiais nanoestruturados Semicondutores Microscopia de tunelamento
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Crescimento Eptaxial | Microscopia De Forca Atomica | Microscopia De Tunelamento | Nanoestruturas | Semicondutores

Resumo

O objetivo principal deste trabalho é de um aprendizado de processos de crescimento, com sua respectiva caracterização de propriedades estruturais e eletrônicas. O sistema a ser estudado envolve dois aspectos de grande interesse na comunidade de crescimento: a) a possibilidade de produção em massa de materiais nanoestruturados; b) entendimento de processos de crescimento, estejam estes ocorrendo no equilíbrio ou fora deste. Pretende-se crescer e caracterizar o sistema InAs:GaAs (001), que para certas espessuras de filmes produz ensembles do que se denomina de self-assembled quantum dots (SAQDs), ou pontos quânticos autoformados. Inicialmente, fazer-se-á o uso do sistema de epitaxia do LNLS/CPqD de crescimento de semicondutores MOCVD (metal-organic chemical vapor deposition). Em se atingindo os objetivos de aprendizado de crescimento, o aluno estará apto a proceder no crescimento de estruturas mais sofisticadas, visando experimentos mais complexos, não compatíveis com um programa de curta duração como o de mestrado. É importante frisar que o processo de aprendizado é demorado e envolve diversos riscos, onde a quebra de equipamentos pode ocorrer durante o projeto. Apesar de existir este risco, é muito importante para o país a formação de pessoal capacitado nas áreas de crescimento epitaxial. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

BUFON, Carlos César Bof. Propriedades eletrônicas de pontos quânticos de InAs1-xPx sobre GaAs.. 2003. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física de São Carlos (IFSC/BT) São Carlos.