Efeitos de spin em heteroestruturas semicondutoras

• Processo: 12/06140-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2012
• Data de Término da vigência: 31 de outubro de 2012
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Yara Galvão Gobato
• Beneficiário: Helder Vinícius Avanço Galeti
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 06/05765-1 - Fenômenos de spin e suas implicações nas propriedades eletrônicas, ópticas e de transporte de sistemas de portadores confinados e estendidos, AP.TEM
• Assunto(s): Magneto-óptica Fotoluminescência Spintrônica Tunelamento quântico
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: efeito tunel ressonante | fotoluminescencia | heteroestruturas semicondutoras | Magneto-optica | Spintrônica | Transporte | Heteroestruturas Semicondutoras

Resumo

O projeto de pesquisa tem como objetivo principal dar continuidade ao estudo sistemático da polarização de spin em diodos de tunelamento ressonante baseadas em sistemas III-V e iniciar um estudo de efeitos de spin em poços quânticos de InGaAsN. Para isso, contamos com diversas amostras preparadas pela equipe do Dr. Mohamed Henini da University of Nottingham (U.K.). Pretendemos investigar a polarização de spin de portadores em poços quânticos (QW) e em diodos de tunelamento ressonante em função da voltagem aplicada, temperatura e potência na presença de altos campos magnéticos. Em particular, pretendemos investigar os efeitos de tunelamento e da injeção de portadores spin polarizados do gás bidimensional (2D) próximo a barreira injetora na polarização de spin em diodos de tunelamento ressonante e também a polarização de spin de QW de InGaAsN.