Estudo teórico de grafeno dopado para o desenvolvimento de sensores

• Processo: 12/22541-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2013
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2014
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Maria Cristina dos Santos
• Beneficiário: Maria Cristina dos Santos
• Pesquisador Anfitrião: Mauricio Terrones
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: Pennsylvania State University, Estados Unidos
• Assunto(s): Nanociência Grafenos Sensores Métodos ab initio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: cálculos ab initio | defeitos em grafeno | Grafeno | Sensores | Nanociência

Resumo

Nesse projeto, serão usadas técnicas teóricas de primeiros princípios para estudar diversos tipos de defeitos naturais ou induzidos em grafeno, em particular pela presença de átomos dopantes. A estrutura eletrônica é modificada localmente em torno do defeito e depende da forma específica do defeito e/ou do substituinte presente. As interações desses defeitos com moléculas tais como poluentes atmosféricos comuns e algumas moléculas de interesse biológico tem sido estudadas recentemente. No presente projeto queremos investigar defeitos que possam seletivamente interagir com moléculas de interesse e tal que isso resulte em modificações sensíveis em alguma propriedade, para o uso efetivo desses grafenos modificados como sensores. Esses cálculos serão realizados em colaboração com o grupo do Prof. Dr. Maurício Terrones, da Pennsylvania State University (Pensilvânia, Estados Unidos), que é um dos grupos líderes mundiais na área de nanoestruturas de carbono. (AU)