Estudo e Aplicação de Ruído em Transistores Avançados

• Processo: 13/12415-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 2013
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2013
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: Maria Glória Caño de Andrade
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Ruído Transistores FinFET Microeletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Bulk | Dtmos | FinFET | Ruído | Transistores 3D | microeletronica

Resumo

O projeto proposto é uma contribuição para o desenvolvimento tecnológico da micro e nanoeletrônica no Brasil, uma vez que pretende implementar um sistema para medir de ruído em transistores avançados no país. O ruído de baixa frequência (LF) será experimentalmente analisado e a origem do ruído será estudada de maneira a compreender os mecanismos físicos envolvidos neste tipo de ruído. Geralmente, os espectros do sinal de dispositivos semicondutores são compostos por flutuações referentes ao número de portadores devido ao ruído flicker e por ondas de ruído de geração e recombinação no dielétrico de porta que se torna maior com o aumento da tensão de porta. A metodologia para o desenvolvimento deste trabalho consistirá de três partes principais. Primeiramente será realizado a implementação de um sistema analisador e amplificador de ruídos que será calibrado a partir dos resultados dos obtidos em medições realizadas no centro interuniversitário de microeletrônica (Imec/Bélgica). Adicionalmente, será realizada uma analise através de medidas experimentais em transistores avançados, ou seja, em estruturas não planares, denominada de transistores Bulk, DTMOS e SOI de múltiplas portas (também chamados FinFET ou Transistor 3D), e em estruturas planares com óxido enterrado extremamente finos denominadas UTBOX (Ultra Thin Buried Oxide) fabricados com novos tipos de materiais, técnicas inovadoras de fabricação, diferentes dimensões e configurações. Finalmente, esta análise dos resultados será complementada por simulações numéricas bidimensionais (2D) e tridimensionais (3D).