Estudo da influência da radiação ionizante proveniente de raios X em MOSFET

• Processo: 13/13770-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 2013
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2015
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Áreas Clássicas de Fenomenologia e suas Aplicações
• Pesquisador responsável: Marcilei Aparecida Guazzelli
• Beneficiário: Felipe Gustavo Hernandes Leite
• Instituição Sede: Centro Universitário FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo. São Bernardo do Campo , SP, Brasil
• Assunto(s): Fenomenologia (física de partículas) Dispositivos eletrônicos Efeitos da radiação Radiação ionizante Raios X Feixes Transistores MOSFET Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dispositivos Semicondutores | Dose total de ionização | Efeitos da radiação | Mosfet | Radiação ionizante | raio x | Dispositivos eletrônicos expostos à radiação ionizante

Resumo

Dispositivos eletrônicos expostos à radiação ionizante podem sofrer danos que podem alterar as propriedades que caracterizam o dispositivo, modificando os parâmetros elétricos e, no caso de memórias ou processadores, podendo modificar as informações contidas nesses dispositivos. Diante deste problema, o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos resistentes à radiação e a sua qualificação quanto a serem mais tolerantes aos efeitos da radiação ionizante requerem pessoal qualificado, com o conhecimento específico dos mecanismos físicos atuantes nos dispositivos quando expostos à radiação. Para estudar o comportamento de dispositivos nessas condições, é necessário saber caracterizá-lo adequadamente, de acordo com os danos causados por uma determinada dose de radiação, e pelo tipo de radiação ionizante. Vale ressaltar que este tema é de extrema importância para que esta área estratégica de pesquisa seja autossuficiente em nosso país. Este projeto de pesquisa visa estudar efeitos da radiação ionizante proveniente de raios-X em dispositivos eletrônicos convencionais CD4007. Os dispositivos serão expostos a diferentes taxas de dose de radiação de raios X, modificando o tempo de exposição e a intensidade do feixe de raios X, com a finalidade de estudar como esses parâmetros influenciam nas características dos dispositivos. Desta forma, será possível correlacionar os mecanismos físicos responsáveis pelos efeitos da radiação nos dispositivos com as alterações nos parâmetros característicos, gerando capacitação de engenheiros elétricos nesta área estratégica para o Brasil. (AU)