Estudo dos Parâmetros Tecnológicos dos Transistores MOSFET de Potência

• Processo: 13/20332-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 2013
• Data de Término da vigência: 31 de outubro de 2014
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Eletrônica Industrial, Sistemas e Controles Eletrônicos
• Pesquisador responsável: Milene Galeti
• Beneficiário: Fernando Orue Dainese
• Instituição Sede: Centro Universitário FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo. São Bernardo do Campo , SP, Brasil
• Assunto(s): Eletrônica de potência Transistores MOSFET Tempo de vida Microeletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: eletrônica de potência | Frequência de chaveamento | Mosfet | tempo de vida | Microeletrônica

Resumo

Os dispositivos semicondutores usados sistemas com elevada potência devem suportar altas correntes e tensões, assim como elevadas tensões reversas durante o seu chaveamento. Apesar dos grandes avanços nos processos de fabricação de dispositivos de potência ainda não obtivemos soluções satisfatórias que possibilitem a ampliação das aplicações destes dispositivos em termos de bloqueio de tensão e condução de corrente. Em aplicações como eletrônica de potência devemos considerar também a necessidade da operação destes dispositivos em frequências elevadas de chaveamento, como é o caso dos conversores CC-DC, desta forma estes dispositivos semicondutores devem possuir baixas perdas durante o chaveamento. A proposta deste trabalho é verificar através de simulações numéricas a influência de alguns parâmetros tecnológicos, como a concentração de dopantes, área das junções e parâmetros geométricos do dispositivo, no desempenho de transistores MOSFET de potência, contemplando tanto o comportamento estático como o dinâmico. Através das curvas da corrente de dreno em função da tensão aplicada à porta ou ao dreno serão extraídos alguns parâmetros, possibilitando assim a analise do comportamento estático deste dispositivo. Já o comportamento dinâmico será associado, também através de simulações numéricas, com o tempo de vida dos portadores e a influência deste parâmetro na frequência de chaveamento dos transistores MOSFET de potência. Finalmente, os resultados obtidos neste trabalho serão comparados com os resultados previamente reportados na literatura.