| Processo: | 16/03093-8 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Iniciação Científica |
| Data de Início da vigência: | 01 de abril de 2016 |
| Data de Término da vigência: | 30 de novembro de 2016 |
| Área de conhecimento: | Engenharias - Engenharia Elétrica - Circuitos Elétricos, Magnéticos e Eletrônicos |
| Pesquisador responsável: | Ariana Maria da Conceicao Lacorte Caniato Serrano |
| Beneficiário: | Rogério Clementino Araújo de Alvarenga |
| Instituição Sede: | Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil |
| Vinculado ao auxílio: | 12/15159-2 - Dispositivos MnM de alta eficiência e baixo custo para aplicações em sistemas de ondas milimétricas de 30 a 110 GHz, AP.JP |
| Assunto(s): | Microeletrônica Nanotecnologia Circuitos integrados Materiais nanoestruturados |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Dispositivos em ondas milimétrica | membrana nanoporosa | Nanotecnologia | Microeletrônica |
Resumo O mercado emergente de telecomunicações em ondas milimétricas (mmW) de 30 GHz a 300 GHz tem incitado um grande interesse mundial para o desenvolvimento de transceptores de alto desempenho e baixo custo para o mercado consumidor. Os primeiros resultados do projeto JP mostraram que as perdas e o fator de qualidade das linhas de transmissão fabricadas são comparáveis ao estado-da-arte. No entanto, apesar se basear em processos convencionais e bem desenvolvidos de microeletrônica, a fabricação dos dispositivos é delicada e pouco reprodutiva. Isto se deve à utilização de um substrato formado na membrana nanoporosa (substrato MnM) cuja espessura reduzida o torna flexível e susceptível a deformações e rupturas. Os desenvolvimentos tecnológicos propostos nesta IC contribuirão não só para deixar esta tecnologia mais confiável e reprodutível, mas também permitirá o avanço na fabricação de dispositivos com melhor desempenho e mais complexos do que os anteriores. Por exemplo, a planarização da membrana, pode diminuir ainda mais as perdas dos dispositivos, além de permitir um modelamento eletromagnético mais preciso. Já o crescimento seletivo de nanofios tem papel importante na fabricação de vias e na fabricação de linhas de transmissão com baixas e altas impedâncias. A corrosão seletiva do substrato permitirá a implementação nesta tecnologia de outros dispositivos não propostos no projeto JP, como defasadores e chaves MEMS. (AU) | |
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