Estudo do comportamento de transistores FinFETs e aplicação em portas lógicas básicas

• Processo: 19/13558-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 2019
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 2021
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: Paula Ghedini Der Agopian
• Beneficiário: Gustavo Vinicius de Araujo
• Instituição Sede: Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus Experimental São João da Boa Vista. São João da Boa Vista , SP, Brasil
• Assunto(s): Nanoeletrônica Microeletrônica Semicondutores Transistores Portas lógicas quânticas Estudos experimentais
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dispositivos Semicondutores | Nanoeletrônica | Portas lógicas básicas | microeletrônica

Resumo

A tecnologia SOI (Silicon-On-Insulator) que vem sendo utilizada desde o início dos anos 2000 para minimizar os efeitos de canal curto, para dimensões muito pequenas (nanométricas) também já não tem sido suficiente quando falamos de transistores planares. Assim uma nova proposta de transistores de múltiplas portas, também conhecido por transistor FinFET, aparecem como uma alternativa aos transistores planares devido ao melhor acoplamento eletrostático entre porta e canal, ocasionando um melhor controle das cargas do canal e consequentemente maior imunidade aos efeitos de canal curto. Neste projeto de iniciação científica será realizado o estudo teórico e experimental dos transistores FinFETs para aplica-los em portas lógicas básicas.