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Estudo do comportamento de transistores FinFETs e aplicação em portas lógicas básicas

Processo: 19/13558-6
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de setembro de 2019
Vigência (Término): 31 de agosto de 2020
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
Pesquisador responsável:Paula Ghedini Der Agopian
Beneficiário:Gustavo Vinicius de Araujo
Instituição-sede: Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus Experimental São João da Boa Vista. São João da Boa Vista , SP, Brasil
Assunto(s):Nanoeletrônica   Microeletrônica   Semicondutores   Transistores   Portas lógicas quânticas   Estudos experimentais

Resumo

A tecnologia SOI (Silicon-On-Insulator) que vem sendo utilizada desde o início dos anos 2000 para minimizar os efeitos de canal curto, para dimensões muito pequenas (nanométricas) também já não tem sido suficiente quando falamos de transistores planares. Assim uma nova proposta de transistores de múltiplas portas, também conhecido por transistor FinFET, aparecem como uma alternativa aos transistores planares devido ao melhor acoplamento eletrostático entre porta e canal, ocasionando um melhor controle das cargas do canal e consequentemente maior imunidade aos efeitos de canal curto. Neste projeto de iniciação científica será realizado o estudo teórico e experimental dos transistores FinFETs para aplica-los em portas lógicas básicas.