Efeito de Dose Total Ionizante em transistores de Potência PMOS

• Processo: 22/09131-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 2022
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2024
• Área de conhecimento: Interdisciplinar
• Pesquisador responsável: Marcilei Aparecida Guazzelli
• Beneficiário: Paulo Roberto Garcia Junior
• Instituição Sede: Centro Universitário FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo. São Bernardo do Campo , SP, Brasil
• Assunto(s): Radiação ionizante
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: características elétricas | Radiação ionizante | Total Ionizing Dose | Transistores de Potência | Efeitos da Radiação Ionizante em Dispositivos

Resumo

Dispositivos eletrônicos expostos à radiação ionizante podem sofrer danos que podem alterar as propriedades que caracterizam o dispositivo, modificando os parâmetros elétricos e, no caso de memórias ou processadores, podendo modificar as informações contidas nesses dispositivos. Diante deste problema, o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos resistentes à radiação e a sua qualificação quanto a serem mais tolerantes aos efeitos da radiação ionizante requerem pessoal qualificado, com o conhecimento específico dos mecanismos físicos atuantes nos dispositivos quando expostos à radiação. Para estudar o comportamento de dispositivos nessas condições, é necessário saber caracterizá-lo adequadamente, de acordo com os danos causados por uma determinada dose de radiação, e pelo tipo de radiação ionizante. Vale ressaltar que este tema é de extrema importância para que esta área estratégica de pesquisa seja autossuficiente em nosso país e também que o Centro Universitário FEI participa do mais importante projeto nacional, financiado pela FINEP - CITAR: Circuitos Integrados Tolerantes a Radiação - o qual visa consolidar este conhecimento no Brasil. Este projeto de pesquisa visa estudar efeitos da radiação ionizante proveniente de raios X em dispositivos eletrônicos, especificamente transistores de potência PMOS (metal - óxido - semicondutor do tipo P). Os transistores que serão caracterizados compõem o CI PPTLEXT06SOID4, projetado pelos pesquisadores do Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer (Campinas). Os transistores serão expostos a diferentes taxas de dose de radiação de raios X de 10 keV, com a finalidade de estudar como a radiação atua nas características de um dispositivo de potência. Desta forma, será possível correlacionar os mecanismos físicos responsáveis pelos efeitos da radiação nos dispositivos com as alterações nos parâmetros característicos, e verificar a tolerância deste dispositivo ao ser submetido em ambiente severo, como em sistemas embarcados na área espacial.