Investigação da Robustez de Transistores de Potência PMOS com Diferentes Layouts frente aos Efeitos de Dose de Radiação Ionizante para aplicações em Ambientes Críticos.

• Processo: 25/01910-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 2025
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2027
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física Nuclear
• Pesquisador responsável: Marcilei Aparecida Guazzelli
• Beneficiário: Paulo Roberto Garcia Junior
• Instituição Sede: Centro Universitário FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo. São Bernardo do Campo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 23/16053-8 - Sistema de Feixes Iônicos para IRradiações e Aplicações (SAFIIRA), AP.R
• Assunto(s): Radiação ionizante
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: PMOs | Radiação ionizante | See - Single Event Effect | Tid -Total Ionizing Dose | Transistores de Potência | Efeitos da radiação ionizante em dispositivos eletrônicos

Resumo

A exposição de dispositivos eletrônicos à radiação ionizante pode causar danos que alteram suas propriedades elétricas, impactando o desempenho e a confiabilidade de componentes críticos, como memórias e processadores. Essas alterações podem modificar os parâmetros elétricos ou até mesmo corromper as informações armazenadas. Para mitigar esses efeitos, torna-se essencial o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos mais tolerantes à radiação, bem como a formação de recursos humanos qualificados, com conhecimento aprofundado nos mecanismos físicos que atuam nesses dispositivos durante a exposição à radiação. Nesse contexto, o Brasil busca avançar em sua autonomia tecnológica em áreas estratégicas.Esta dissertação de mestrado tem como objetivo investigar os efeitos da incidência de íons pesados em transistores de potência PMOS (Metal-Óxido-Semicondutor do tipo P). Os transistores a serem caracterizados pertencem ao circuito integrado PPTLEXT06SOID4, projetado por pesquisadores do Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer (CTI - Campinas) e fabricados pelo Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. (CEITEC). A pesquisa envolve a exposição dos transistores a diferentes tipos de íons pesados, permitindo um estudo detalhado dos mecanismos físicos que influenciam as alterações nas características elétricas desses dispositivos de potência.Dessa forma, será possível correlacionar as causas dos efeitos provocados pela radiação com as variações nos parâmetros elétricos, além de avaliar a tolerância dos dispositivos em função das diferenças na geometria, para aplicações em ambientes extremos, como sistemas embarcados aeroespaciais.Este trabalho dá continuidade ao projeto FAPESP 2022/09131-0, que iniciou a investigação dos efeitos da radiação ionizante proveniente de raios X no mesmo dispositivo. Com foco nos efeitos acumulativos de Total Ionizing Dose (TID), busca-se ampliar o conhecimento sobre a robustez dos transistores de potência PMOS de diferentes geometrias sob diversas condições de radiação. (AU)