| Processo: | 98/10250-2 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Iniciação Científica |
| Data de Início da vigência: | 01 de outubro de 1998 |
| Data de Término da vigência: | 29 de fevereiro de 2000 |
| Área de conhecimento: | Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica |
| Pesquisador responsável: | Dulcina Maria Pinatti Ferreira de Souza |
| Beneficiário: | Rafael Agnelli Mesquita |
| Instituição Sede: | Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Condutividade iônica Eletrólitos |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Condutor Ionico | Eletrolito Solido | Oxido De Bismuto |
Resumo Óxido de Bismuto é um material com grande potencial de aplicações dada às suas características elétricas. Em temperatura abaixo de 700°C é um condutor eletrônico. Nesta temperatura sofre uma transição de fase monoclínica para cúbica tornando-se um condutor iônico devido à presença de duas vacâncias de oxigênio por célula unitária. A condutividade iônica é de uma a duas ordens de magnitude superior àquela apresentada peia zircônia. Esta característica é que torna o Bi2O3 uma boa alternativa à zircônia. Porém, a faixa de temperatura em o Bi2O3 se comporta como condutor iônico é pequena pois funde a 825°C. Contudo, as soluções sólidas do Bi2O3 com óxidos de terras raras mantem a estrutura cúbica em temperaturas abaixo de 700°C. É proposto estudar, utilizando espectroscopia de impedância como técnica principal, as soluções sólidas do Bi2O3 com: Yb2O3. Er2O3, Y2O3, Gd2O3 buscando informações sobre a segregação dos íons estabilizantes a exemplo do que ocorre em zircônia. (AU) | |
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