Análise do efeito da hidrogenação nas propriedades do GaAs amorfo preparado por RF-magnetron sputtering

• Processo: 03/13055-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2004
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2004
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Johnny Vilcarromero López
• Beneficiário: Romulo Bustamante
• Instituição Sede: Instituto de Pesquisa e Desenvolvimento (IP&D). Universidade do Vale do Paraíba (UNIVAP). São José dos Campos , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 00/03876-4 - Otimização dos processos de síntese e caracterização de filmes amorfos de GaAs preparados pela técnica de RF-magnetron-sputterin, AP.JP
• Assunto(s): Semicondutores amorfos Hidrogenação Propriedades estruturais Propriedades ópticas Arsenieto de gálio Pulverização catódica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Arseneto De Galio Amorfo | Hidrogenacao | Propriedades Estruturais | Propriedades Opticas | Rf-Magnetron Sputtering | Semicondutores Amorfos

Resumo

O presente projeto de pesquisa tem por finalidade o estudo do efeito da incorporação de hidrogênio nas amostras de Arseneto de Gálio amorfo produzidos pela técnica de rf-magnetron sputtering. As amostras serão produzidas utilizando um rf-magnetron sputtering instalado no laboratório de filmes finos no Instituto de Pesquisa e Desenvolvimento na Univap, coordenado pelo Prof. Johnny Vilcarromero Lopez. O trabalho visa correlacionar de forma sistemática o efeito da incorporação de hidrogênio (intencionalmente) sobre as propriedades ópticas e estruturais do Arseneto de Gálio amorfo. As condições de preparação das amostras serão as melhores condições já obtidas de filmes finos de Arseneto de Gálio sem hidrogênio. Estas condições de preparação permitem nos obter GaAs de boa qualidade. Sendo, que as propriedades do Arseneto de Gálio amorfo, estado da arte, são: uma banda proibida de 1.4 eV (E04), uma energia de Urbach de 110 meV, bóa estequiométrica e uma condutividade a temperatura ambiente no escuro de 3,2 X10-5 (cm)-1. Desta forma, pretendemos manter fixas as condições de preparação do material de GaAs sem hidrogenar, e variar somente a pressão parcial de hidrogênio dentro da câmara de deposição. O estudo das propriedades deste material envolve caracterizações estruturais e ópticas, as quais serão correlacionadas com a variação de hidrogênio na câmara de deposição. (AU)