Estudo e caracterização elétrica de transistores SOI nMOSFET para aplicações espaciais

• Processo: 07/01576-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 2007
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 2009
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: Wilhelmus Adrianus Maria van Noije
• Beneficiário: Márcio Dalla Valle Martino
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Microeletrônica Medidas elétricas Circuitos integrados Transistores SOI Transistores MOSFET Técnicas de caracterização elétrica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Aplicação Espacial | Caracterização Elétrica | Circuitos Integrados | Soi Mosfet | Microeletrônica

Resumo

A tecnologia SOI tem demonstrado grande potencial para ser utilizada na fabricação de circuitos integrados em escala de integração muito ampla (ULSI). Nesta tecnologia, os dispositivos são implementados em lâminas de silício sobre isolante (Silicon On Insulator - SOI). Além desta esta tecnologia já tem sido usada com sucesso em aplicações específicas que requerem alta resistência à radiação e baixa sensibilidade com a variação de temperatura. Neste trabalho deseja-se estudar teórica e experimentalmente o comportamento elétrico em temperatura ambiente de transistores SOI nMOSFETs parcialmente depletados (PD) dando ênfase especialmente as características de alta resistência à radiação para aplicações espaciais. Estes dispositivos foram fabricados no IMEC (Interuniversity Microelectronics Center) da Universidade Católica de Leuven (KUL) localizada na Bélgica, em parceria com a ESA (European Space Agency). Através das curvas características experimentais destes dispositivos (submetidos ou não à radiação) deseja-se obter os principais parâmetros elétricos que servirão para alimentar o simulador de circuitos SPICE. Uma vez ajustadas as simulações serão possíveis, o estudo de circuitos básicos tais como o inversor e a porta de transmissão em função da radiação. (AU)