Estudo teórico das propriedades ópticas e de transporte em heteroestruturas de tunelamento ressonante

• Processo: 02/08572-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 2002
• Data de Término da vigência: 31 de outubro de 2005
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Yara Galvão Gobato
• Beneficiário: Ihosvany Camps Rodríguez
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 00/12356-4 - Estudos de propriedades ópticas e elétricas de heteroestruturas semicondutoras, AP.TEM
• Auxílio(s) vinculado(s): 03/11062-5 - Estudo das propriedades ópticas e de transporte em heteroestruturas de tunelamento ressonante, AP.PRIM
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Excitons | Heteroestruturas | Propriedades De Transporte | Tunelamento Assistido | Tunelamento Ressonante

Resumo

O objetivo central do projeto é o estudo e a modelagem dos efeitos da iluminação e do campo magnético nas propriedades de transporte em heteroestruturas de tunelamento ressonante. Em recentes pesquisas desenvolvidas no Grupo de Semicondutores do Departamento de Física da UFSCar, têm se encontrado que heteroestruturas de tunelamento ressonante baseadas no sistema III-V apresentam modificações nas suas propriedades de transporte na presença de luz e de campo magnético. Entre estes modificações podemos mencionar: variações na característica corrente-voltagem (I-V) tais como o aumento da largura da região biestável com o aumento da intensidade da excitação; um comportamento anômalo da fotoluminescência do poço com o aumento da temperatura e o aparecimento de picos na curva I-V na presença de campo magnético. A analise desses resultados experimentais necessita de simulações numéricas para uma melhor compreensão dos diferentes mecanismos envolvidos. Propomos neste projeto a modelagem dos fenômenos de transporte (tunelamento dos portadores minoritários, característica I-V, etc.) e ópticos (fotoluminescência) levando em conta os parâmetros estruturais dos dispositivos e os parâmetros externos (bias, campo magnético). (AU)