Estudo do encapsulamento e confiabilidade de lasers de semicondutor de InGaAs/GaAs/InGaP e emitindo em 0.98 microns

• Processo: 00/00035-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2000
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2002
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Newton Cesario Frateschi
• Beneficiário: Ricardo Pureza Coimbra
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Confiabilidade Poços quânticos Lasers semicondutores Bombeamento óptico
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Confiabilidade | Encapsulamento | Laser De Semicondutor | Poco Quantico De Ingap(Gap)

Resumo

Existe um grande interesse na utilização de lasers de semicondutor emitindo em 0.98um para o bombeamento ótico em amplificadores de fibra ou mesmo lasers de estado sólido. No Laboratório de Pesquisa em Dispositivos (LPD) são produzidos moduladores ópticos baseados nestes lasers que são regularmente testados em bancada com pontas de prova micrométricas e dissipação térmica pouco eficiente. Este trabalho consiste num estudo direcionado para o encapsulamento e caracterização destes lasers, visando ainda o desenvolvimento de um protótipo para a utilização confiável fora de bancada. (AU)