Desenvolvimento e caracterização de um equipamento de Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) para deposição de filmes finos contendo titânio por plasma de radiofrequência

• Processo: 07/02959-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2007
• Data de Término da vigência: 30 de novembro de 2007
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Fernando Alvarez
• Beneficiário: Daniel Lima Monteiro
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Filmes finos Titânio Deposição de filmes finos Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD) Radiofrequência
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Filmes finos | Filmes Finos

Resumo

Durante este projeto será desenvolvido um sistema PECVD para deposição de filmes finos de TiN utilizando alcóxidos contendo Ti mediante plasma de radiofreqüência, para depois aperfeiçoá-lo e caracterizá-lo a fim de se obter controle sobre a quantidade de oxigênio presente para conseguir filmes de melhor qualidade.