Pontos quanticos auto-organizados de inas, inasp e inp embutidos em gaas: propriedades opticas e de transporte.

• Processo: 02/02252-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 2002
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 2004
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Gilberto Medeiros Ribeiro
• Beneficiário: Evaldo Ribeiro
• Instituição Sede: Associação Brasileira de Tecnologia de Luz Síncrotron (ABTLuS). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). Campinas , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 98/14757-4 - Materiais nanoestruturados investigados por microscopias de tunelamento e força atômica através de medidas de transporte, AP.JP
• Assunto(s): Propriedades de transporte Pontos quânticos Propriedades ópticas
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Pontos Quanticos | Propriedades De Transporte | Propriedades Opticas

Resumo

O regime de transporte por hopping ocorre quando a densidade do 2DEG vai sendo diminuída até que os elétrons remanescentes começam a "enxergar" as pequenas variações de potencial devidas à rugosidade da interface à qual estão confinados. A partir de uma certa densidade, os elétrons acabam confinados em pequenas piscinas ou bolsões e o transporte de corrente se dá quando os elétrons "pulam" ("hop") de uma piscina para a vizinha e assim sucessivamente. Minha idéia é inserir um plano de SAQD próximo à localização do 2DEG, de modo que os elétrons sejam confinados preferivelmente nos QD e o regime de hopping seja alterado para elétrons "pulando" de dot para dot. Para a realização de um estudo sistemático do efeito dos SAQD no transporte por hopping, utilizaremos SAQD de InAs (potencial de confinamento mais profundo), InP (o confinamento mais raso) e InAsP (confinamento intermediário) embutidos no 2DEG. Portanto, é imprescindível caracterizar muito bem os estados eletrônicos dessas diversas espécies químicas de SAQD, inclusive seus estados de mais alta energia. Isto será realizado através do estudo das propriedades ópticas dos dots descritos acima. Especial atenção será dada ao sistema InAsP, ainda desconhecido na literatura. (AU)