Bolsa 07/56356-7 - Estados eletrônicos, Óxidos

Processo:	07/56356-7
Linha de fomento:	Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início):	01 de novembro de 2007
Vigência (Término):	31 de outubro de 2008
Área do conhecimento:	Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada

Pesquisador responsável:	Adenilson José Chiquito
Beneficiário:	Matheus Bastos Plotegher

Instituição-sede:	Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil

Assunto(s):	Estados eletrônicos Óxidos Nanofios
Resumo Neste trabalho pretende-se estudar numericamente algumas propriedades de nanoestruturas semicondutoras construídas a partir de óxidos de estanho e de índio (SnO2, In2O3) através da solução da equação de Schroedinger. As estruturas de interesse são nanofios construídos a partir dos materiais acima. O problema específico a ser abordado é a forma do potencial que determina as propriedades unidimensionais apresentadas pelos nanofios. Com estes cálculos pode-se obter uma Idéia mais completa e geral das propriedades dos sistemas, associando aos dados experimentais obtidos no laboratório de Semicondutores do DF - UFSCar, o necessário modelamento teórico. As atividades propostas ao estudante visam uma introdução a algumas técnicas básicas para a determinação das energias em cristais e suas aplicações em sistemas unidimensionais, através de processos analíticos e numéricos. (AU)