Calculo de estados eletronicos em nanofios usando simulacao computacional

• Processo: 07/56356-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 2007
• Data de Término da vigência: 31 de outubro de 2008
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adenilson José Chiquito
• Beneficiário: Matheus Bastos Plotegher
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Estados eletrônicos Óxidos Nanofios
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Estados Eletronicos | Nanofios | Oxidos

Resumo

Neste trabalho pretende-se estudar numericamente algumas propriedades de nanoestruturas semicondutoras construídas a partir de óxidos de estanho e de índio (SnO2, In2O3) através da solução da equação de Schroedinger. As estruturas de interesse são nanofios construídos a partir dos materiais acima. O problema específico a ser abordado é a forma do potencial que determina as propriedades unidimensionais apresentadas pelos nanofios. Com estes cálculos pode-se obter uma Idéia mais completa e geral das propriedades dos sistemas, associando aos dados experimentais obtidos no laboratório de Semicondutores do DF - UFSCar, o necessário modelamento teórico. As atividades propostas ao estudante visam uma introdução a algumas técnicas básicas para a determinação das energias em cristais e suas aplicações em sistemas unidimensionais, através de processos analíticos e numéricos. (AU)