RF MEMS Baseados em a-SiC:H e SiOxNy Obtidos por PECVD a Baixas Temperaturas

• Processo: 08/08775-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de dezembro de 2008
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2012
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica
• Pesquisador responsável: Marcelo Nelson Páez Carreño
• Beneficiário: Gustavo Pamplona Rehder
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 00/10027-3 - Producao, caracterizacao e aplicacoes de ligas semicondutoras e isolantes., AP.TEM
• Assunto(s): Sistemas microeletromecânicos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Atuação Eletrostática | Atuação Térmica | Dispositivos para RF | Materiais PECVD | Mems | Rf Mems | Sistemas Microeletromecânicos (MEMS)

Resumo

O desenvolvimento de MEMS, especialmente RF MEMS, é relativamente recente no Brasil, embora o mercado seja muito promissor e em forte crescimento. Por isso, o presente projeto de pesquisa visa o desenvolvimento de sistemas microeletromecânicos (MEMS) voltados para aplicações em radio freqüência (RF). A proposta deste projeto é basear-se em materiais já otimizados para a fabricação de MEMS e em processos já desenvolvidos, aprimorando-os para permitir a fabricação de MEMS que possam ser utilizados em RF. Este trabalho será desenvolvido em três etapas: (1) desenvolvimento e fabricação de chaves MEMS; (2) estudo de substrato, materiais e encapsulamento para RF MEMS através do desenvolvimento e fabricação de estruturas simples que operem em RF; e (3) fabricação e caracterização de protótipos de chaves MEMS para RF. Este trabalho será desenvolvido junto ao Grupo de Novos Materiais e Dispositivos (GNMD) do Laboratório de Microeletrônica da Escola Politécnica da USP e esta vinculado ao projeto temático FAPESP "Produção, Caracterização e Aplicações de Ligas Semicondutoras e Isolantes" (Processo 00/10027-3).