Corrosao por plasma de carbeto de silicio amorfo hidrogenado (a-sic:h) obtido por pecvd.

• Processo: 00/06788-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 2000
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 2001
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Marcelo Nelson Páez Carreño
• Beneficiário: Jose Antonio Rocha das Neves
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Carbeto de silício Corrosão
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: A-Sic-H | Carbeto De Silicio | Corrosao | Senmicondutores Amorfos

Resumo

O objetivo do projeto é estudar a corrosão química de filmes de a-Si1-xCx:H obtidos pela técnica de PECVD ("Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition"). A motivação é viabilizar a fabricação de dispositivos semicondutores a base deste material, já que mesmo os dispositivos mais simples requerem técnicas de corrosão eficiente e seletiva do a-SiC:H para definir as geometrias requeridas. Em função de resultados prévios e da tendência reportada na literatura, que a indicam como mais eficiente, a técnica de corrosão utilizada será a corrosão por plasma de tipo RIE ("Reactive lon Etching"). (AU)