Estudo das propriedades óticas dos sub-óxidos de silício

• Processo: 02/03066-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 2002
• Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 2003
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Leandro Russovski Tessler
• Beneficiário: Olivio de Almeida Vieira
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Filmes finos Fotônica Silício
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Filmes Finos | Fotonica | Otica | Semicondutores Amorfos | Silicio

Resumo

O objetivo do projeto é determinar as propriedades ópticas dos sub-óxidos de silício amorfo hidrogenado (a-SiOx:H). Prepararemos amostras na forma de filmes finos por sputtering reativo de silício em atmosfera de Ar contendo diferentes concentrações de O2 e H2, e mediremos a transmitância ótica dos filmes. A partir daí obteremos o índice de refração e o coeficiente de absorção em função do comprimento de onda, para obtenção do gap óptico e determinaremos a influência da concentração de oxigênio sobre esses parâmetros. (AU)