Caracterização elétrica de SOI MOSFET em alta temperatura

• Processo: 00/14521-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de fevereiro de 2001
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2002
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: Carolina Davanzzo Gomes dos Santos
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Medidas elétricas Sol Alta temperatura
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Medidas Eletricas | Mosfet | Sol | Temperatura

Resumo

Neste trabalho de iniciação científica deseja-se promover a caracterização elétrica e simulação de transistores do tipo MOS, desenvolvidos segundo a tecnologia Silício Sobre Isolante (Silicon-On-Insulator - SOI), em altas temperaturas, variando-a desde 300 K até 523 K. Trabalhos de mestrado e doutorado desenvolvidos no Brasil, bem como publicados em periódicos\conferências no exterior, têm demonstrado que a utilização da tecnologia SOI em circuitos operando em altas temperaturas apresenta inúmeras vantagens face a tecnologia MOS convencional, sobretudo com a significativa redução das correntes de fuga. Serão efetuadas medidas do tipo corrente versus tensão (IV), utilizando os equipamentos HP4145B, o qual encontra-se disponível no LSI/EPUSP, e o equipamento de aquecimento e controle da temperatura recentemente aprovado pela FAPESP. (AU)