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Caracterização elétrica de SOI MOSFET em alta temperatura

Processo: 00/14521-2
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Data de Início da vigência: 01 de fevereiro de 2001
Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2002
Área de conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:João Antonio Martino
Beneficiário:Carolina Davanzzo Gomes dos Santos
Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Medidas elétricas   Sol   Alta temperatura
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Medidas Eletricas | Mosfet | Sol | Temperatura

Resumo

Neste trabalho de iniciação científica deseja-se promover a caracterização elétrica e simulação de transistores do tipo MOS, desenvolvidos segundo a tecnologia Silício Sobre Isolante (Silicon-On-Insulator - SOI), em altas temperaturas, variando-a desde 300 K até 523 K. Trabalhos de mestrado e doutorado desenvolvidos no Brasil, bem como publicados em periódicos\conferências no exterior, têm demonstrado que a utilização da tecnologia SOI em circuitos operando em altas temperaturas apresenta inúmeras vantagens face a tecnologia MOS convencional, sobretudo com a significativa redução das correntes de fuga. Serão efetuadas medidas do tipo corrente versus tensão (IV), utilizando os equipamentos HP4145B, o qual encontra-se disponível no LSI/EPUSP, e o equipamento de aquecimento e controle da temperatura recentemente aprovado pela FAPESP. (AU)

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