Crescimento de diamantes sobre nitreto de silício para ferramentas de usinagem

• Processo: 99/10406-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de fevereiro de 2000
• Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 2001
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
• Pesquisador responsável: Evaldo Jose Corat
• Beneficiário: Alberto Duarte de Oliveira
• Instituição Sede: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
• Assunto(s): Revestimentos Nitreto de silício Diamantes CVD Diamante Deposição química por vapor CVD
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Aderencia | Cvd | Diamante | Ferramenta | Nitreto De Silicio | Revestimento

Resumo

Neste trabalho será estudado o crescimento de diamante, por técnicas de deposição química a partir da fase vapor (CVD), sobre ferramentas de usinagem de nitreto de silício. O objetivo principal é obter alta aderência dos filmes de diamante para poder suportar os esforços gerados durante os processos de usinagem. Esta aderência depende fortemente da interação da fase gasosa do ambiente de crescimento de diamante com a superfície do substrato. A estrutura da superfície deste substrato é composta de uma fase vítrea formada a partir dos aditivos de sinterização, além dos grãos de nitreto de silício. Um estudo da interação desta superfície com o ambiente de crescimento será feito por técnicas de espectroscopia de infravermelho, espalhamento Raman, difração de raios-X e microscopia eletrônica de varredura. (AU)