Estudo comparativo entre metodos para a extracao das espessuras da camada de silicio e do oxido de porta em dispositivos soi mosfets.

• Processo: 02/10109-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2003
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2003
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Aparecido Sirley Nicolett
• Beneficiário: Michele Rodrigues
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Técnicas de caracterização elétrica Transistores MOSFET
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterizacao Eletrica | Extracao De Parametros | Mosfet | Soi

Resumo

Neste trabalho de Iniciação Científica o aluno estudará diferentes métodos de caracterização elétrica de transistores MOSFETs fabricados segundo a tecnologia Silício Sobre Isolante (Silicon-On-Insulator - SOI), principalmente os que se referem as espessuras da camada de silício e do óxido de porta. A tecnologia SOI tem demostrado um excelente desempenho quando comparada à tecnologia convencional, e se tratando de uma tecnologia recente, o número de métodos desenvolvidos para a caracterização elétrica de dispositivos SOI não é tão grande quanto ao número de métodos existentes para a tecnologia convencional. Para o desenvolvimento da análise comparativa entre os métodos, o aluno utilizará simulações numéricas e/ou analíticas e medidas experimentais. (AU)