Busca avançada
Ano de início
Entree

Crescimento epitaxial por feixe molecular de heteroestruturas semicondutoras de compostos iii-v de alta qualidade.

Processo: 95/01094-9
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Data de Início da vigência: 01 de junho de 1995
Data de Término da vigência: 31 de maio de 1996
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Alain André Quivy
Beneficiário:Antonio Carlos Gracias
Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Crescimento epitaxial   Arsenieto de gálio
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Celula De Knudsen | Crescimento Epitaxial | Defeitos Ovais | Gaas | Mbe

Resumo

Neste projeto, pretendemos estudar o crescimento de camadas epitaxias por feixe molecular para poder minimizar o aparecimento dos defeitos ovais e fornecer ao Laboratório de Microeletrônica da Escola Politécnica da USP (LME) amostras de altíssima qualidade destinadas ao processamento de dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. (AU)

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre a bolsa:
Mais itensMenos itens
Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias ( ):
Mais itensMenos itens
VEICULO: TITULO (DATA)
VEICULO: TITULO (DATA)