Crescimento epitaxial por feixe molecular de heteroestruturas semicondutoras de compostos iii-v de alta qualidade.

• Processo: 95/01094-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 1995
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 1996
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Alain André Quivy
• Beneficiário: Antonio Carlos Gracias
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Crescimento epitaxial Arsenieto de gálio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Celula De Knudsen | Crescimento Epitaxial | Defeitos Ovais | Gaas | Mbe

Resumo

Neste projeto, pretendemos estudar o crescimento de camadas epitaxias por feixe molecular para poder minimizar o aparecimento dos defeitos ovais e fornecer ao Laboratório de Microeletrônica da Escola Politécnica da USP (LME) amostras de altíssima qualidade destinadas ao processamento de dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. (AU)