Caracterização de Camadas Ultrafinas de Alta Constante Dielétrica e Aplicação na Fabricação de Estruturas MOS de Alto Desempenho

• Processo: 10/09509-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de janeiro de 2011
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 2013
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica
• Pesquisador responsável: Sebastiao Gomes dos Santos Filho
• Beneficiário: Danilo Roque Huanca
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 08/05792-4 - Projeto, fabricação e caracterização de transistores FinFETs, AP.TEM
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: camadas finas | dielétricos de alto-k | Estruturas MOS | portas MOSFET | Dispositivos Eletrônicos sub micrométricos

Resumo

Neste trabalho de pós-doutorado serão investigadas camadas ultrafinas de Al2O3, AlSixOy, TiSixOy e TiAlxOy com alta constante dielétrica (k) para porta MOS com espessura equivalente na faixa de 0,3 a 1nm. Serão fabricados capacitores MOS utilizando Al2O3, AlSixOy, TiSixOy e TiAlxOy, como dielétricos de porta, obtidos por pulverização catódica em equipamento tipo "RF Magnetron" seguido da deposição de nitreto de titânio na mesma câmara sem quebra de vácuo. Serão realizadas medidas das características capacitância-tensão (C-V), capacitância-tempo (C-t), corrente-tensão (I-V) e medidas físicas como: a elipsometria, espectroscopia por retroespalhamento de Rutherford (RBS) no modo ressonância de oxigênio e medida de espalhamento de raios X em incidência rasante para pequeno ângulo de abertura (GISAXS : Grazing-incidence small-angle x-ray scattering). Parte do foco da pesquisa será o estudo da evolução das características físicas e elétricas dos filmes de Al2O3, AlSixOy, TiSixOy e TiAlxOy em função de tratamentos térmicos na faixa de 450C a 1000C.