Crescimento de heteroestruturas semicondutoras iii-v sobre superficies nao planares de gaas visando a producao de dispositivos.

• Processo: 98/11499-4
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de dezembro de 1998
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 2000
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Pedro Pablo Gonzalez Borrero
• Beneficiário: Pedro Pablo Gonzalez Borrero
• Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Crescimento epitaxial Dispositivos Semicondutores Pontos quânticos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Crescimento Epitaxial | Dispositivos | Pontos Quanticos | Semicondutores | Superficies Nao Planares

Resumo

O presente projeto de pesquisa tem como objetivo principal, o crescimento de hetero-estruturas que servirão para a fabricação de um dispositivo emissor de luz a partir de pontos quânticos naturais de InAs/GaAs(n11)A (n=1;2 e 3), utilizando-se somente o Silício como dopante durante o processo de crescimento por Epitaxia por Feixes Moleculares. Visando a obtenção do dispositivo serão determinadas as melhores condições para a formação dos pontos quânticos naturais de InAs nas superfícies(n11)A, assim como os intervalos de temperatura do substrato e da pressão de Arsênio onde o Silício tem o comportamento de doador ou aceitor. (AU)