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Crescimento de heteroestruturas semicondutoras iii-v sobre superficies nao planares de gaas visando a producao de dispositivos.

Processo: 98/11499-4
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Data de Início da vigência: 01 de dezembro de 1998
Data de Término da vigência: 31 de maio de 2000
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Pedro Pablo Gonzalez Borrero
Beneficiário:Pedro Pablo Gonzalez Borrero
Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Crescimento epitaxial   Dispositivos   Semicondutores   Pontos quânticos
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Crescimento Epitaxial | Dispositivos | Pontos Quanticos | Semicondutores | Superficies Nao Planares

Resumo

O presente projeto de pesquisa tem como objetivo principal, o crescimento de hetero-estruturas que servirão para a fabricação de um dispositivo emissor de luz a partir de pontos quânticos naturais de InAs/GaAs(n11)A (n=1;2 e 3), utilizando-se somente o Silício como dopante durante o processo de crescimento por Epitaxia por Feixes Moleculares. Visando a obtenção do dispositivo serão determinadas as melhores condições para a formação dos pontos quânticos naturais de InAs nas superfícies(n11)A, assim como os intervalos de temperatura do substrato e da pressão de Arsênio onde o Silício tem o comportamento de doador ou aceitor. (AU)

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