Otimizacao do processo de preparacao do arseneto de galio amorfo pela tecnica de evaporacao flash.

• Processo: 98/12744-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 1999
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2001
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Ricardo Robinson Campomanes Santana
• Beneficiário: Ricardo Robinson Campomanes Santana
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 97/06278-6 - Otimização dos processos de preparação de semicondutores amorfos do tipo III-V, AP.JP
• Assunto(s): Hidrogenação Semicondutores amorfos Desordem Arsenieto de gálio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Arseneto De Galio | Desordem | Hidrogenacao | Preparacao De Filmes | Propriedades Optoeletronicas | Semicondutores Amorfos

Resumo

O objetivo deste projeto é a otimização do processo de preparação de filmes de arseneto de gálio amorfo hidrogenados e não hidrogenados. Para isto será aperfeiçoada uma evaporadora flash existente. A hidrogenação será feita por bombardeio iônico, mediante a instalação de um canhão no sistema. Para estes estudos será necessária uma contínua realimentação entre as condições de deposição e as caracterizações. A caracterização das propriedades do material será obtida por diversas técnicas experimentais. Os resultados contribuirão para o melhor entendimento das propriedades físicas e possíveis aplicações do material. (AU)