Espectroscopia raman em heteroestruturas semicondutoras.

• Processo: 98/01445-4
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 1998
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 1999
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Edilson Sergio Silveira
• Beneficiário: Edilson Sergio Silveira
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Luminescência GAN
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Gan | Ingan | Luminescencia | Raman Eletronico

Resumo

O intuito deste projeto é estudar heteroestruturas semicondutoras de interesse atual usando espectroscopia óptica, para obter informação em pesquisa fundamental bem como otimizar parâmetros de crescimento de epitaxia por feixe molecular, MBE. As heteroestruturas compreendem: compostos temários InGaN de baixa dimensionalidade e sistemas semicondutores III-V de gap grande incluindo GaN (hexagonal e cúbico) e GaN:Mg (tipo-p). A parte experimental do projeto inclui medições de espalhamento Raman e de fotoluminescência. A orientação das amostras e caracterização estrutural macroscópica das heteroestruturas será feita por espectroscopia de raios-x. (AU)