Caracterização elétrica de transistores SOI ultra-submicrometricos avançados

• Processo: 03/01023-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 31 de maio de 2003
• Data de Término da vigência: 30 de julho de 2003
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: João Antonio Martino
• Pesquisador Anfitrião: Cor Claeys
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: University of Leuven, Leuven (KU Leuven), Bélgica
• Assunto(s): Transistores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterizacao Eletrica | Mosfet | Soi | Submicrometricos | Transistores

Resumo

Este projeto tem como finalidade a caracterização elétrica de transistores SOI MOSFETs ultra-submicrométricos avançados, no centro de pesquisas IMEC (Interuniversity Microelectronics Center) em Leuven na Bélgica. Estes dispositivos foram projetados para funcionar parcialmente depletados (PD), para que haja uma maior compatibilidade com o processo de fabricação dos atuais transistores MOS convencionais. Porém, os transistores SOI MOSFETs PD apresentam efeitos parasitários como a ativação do transistor bipolar parasitário, devido a não existência de um contato ôhmico na camada de silício, deixando esta flutuando eletricamente. Deseja-se estudar estes efeitos experimentalmente e utilizar simuladores de processos e de dispositivos para análise dos parâmetros caracterizados. (AU)