Fabricação de ligas semicondutoras por epitaxia de feixes moleculares (MBE) para aplicação optoeletrônica

• Processo: 93/00435-1
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 1993
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 1993
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Suhaila Maluf Shibli
• Beneficiário: Suhaila Maluf Shibli
• Pesquisador Anfitrião: Alfred Y. Cho
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: AT&T Bell Laboratories, Murray Hill, Estados Unidos
• Assunto(s): Óptica eletrônica Microeletrônica Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Crescimento Epitaxial | Dispositivos Optoeletronicos | Mbe | Microeletronica | Semicondutores Iii-V

Resumo

Na fase em que nosso Laboratório de MBE do IFUSP se encontra é de suma importância um maior treinamento do nosso pessoal com relação à crescimento de ligas ternárias (InGaAs, AlGaAs, InAlAs) e quartenária (InGaAlAs) para um maior aproveitamento da infraestrutura aqui instalada. Como o próprio Dr. Alfred Y. Cho menciona em sua carta convite, terei oportunidade de trabalhar com vários tipos de ligas e, assim, adquirir uma visão mais ampla do estado-de-arte do processo de crescimento de semicondutores III-V por BEM (crescidos especialmente para a fabricação de dispositivos optoeletrônicos). (AU)