Estudo e desenvolvimento de filmes finos de silício microcristalino, depositados por LPVCD, aplicados na passivação de dispositivos de potência

• Processo: 98/01202-4
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 1998
• Data de Término da vigência: 30 de abril de 2000
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Nilton Itiro Morimoto
• Beneficiário: Eduardo dos Santos Ferreira
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Filmes finos Sistemas elétricos de potência
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dispositivos De Potencia | Passivacao | Processo Lpcvd | Silicio Microcristalno

Resumo

Este trabalho tem como objetivo fundamental o estudo e o desenvolvimento de filmes finos de silício micro-cristalino, depositados por LPCVD, para serem aplicados em dispositivos de potência. O processo LPCVD de deposição de silício será estudado para se obter um filme de silício micro-cristalino com características convenientes para ser utilizado como camada de passivação em dispositivos de potência. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

FERREIRA, Eduardo dos Santos. Estudo e caracterização de filmes SIPOS para a passivação de dispositivos de potência.. 2000. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP/BC) São Paulo.