Texto completo
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| Autor(es): |
Eduardo dos Santos Ferreira
Número total de Autores: 1
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| Tipo de documento: | Dissertação de Mestrado |
| Imprenta: | São Paulo. |
| Instituição: | Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP/BC) |
| Data de defesa: | 2000-04-19 |
| Membros da banca: |
Nilton Itiro Morimoto;
Olivier André Paul Bonnaud;
Sebastião Gomes dos Santos Filho
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| Orientador: | Nilton Itiro Morimoto |
| Resumo | |
O presente trabalho apresenta o estudo e desenvolvimento de filmes finos de silício policristalino semi-isolante (SIPOS) depositados por LPCVD, a partir de silana e óxido nitroso, para a passivação de dispositivos semicondutores de potência.Mostramos que a taxa de deposição aumenta com a temperatura de processo e com o fluxo de silana e diminui para um aumento do fluxo de \'N IND.2\'O. A análise por XRD mostrou que os filmes SIPOS depositados apresentam uma estrutura microcristalina.As análises por RBS mostraram que a concentração de oxigênio aumenta com a temperatura de deposição e com o fluxo de óxido nitroso. As análises FTIRS mostraram a presença de ligações Si-O-Si, Si-H e Si-OH nos filmes depositados. A caracterizaçãoelétrica dos filmes SIPOS foi realizada utilizando capacitores MSS. A corrente de fuga destes capacitores aumenta com a diminuição do fluxo de óxido nitroso. Diodos de potência, fornecidos pela AEGIS Semicondutores Ltda., foram passivadosutilizando o filme SIPOS. Os diodos passivados apresentaram um aumento na tensão de ruptura da ordem de 10%. Deste modo mostramos a viabilidade da utilização de filmes SIPOS para a passivação de dispositivos semicondutores de potência. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 98/01202-4 - Estudo e desenvolvimento de filmes finos de silício microcristalino, depositados por LPVCD, aplicados na passivação de dispositivos de potência |
| Beneficiário: | Eduardo dos Santos Ferreira |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Mestrado |