Modelamento teórico de propriedades eletrônicas e estruturais de ligas semicondutoras

• Processo: 01/02646-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Jovens Pesquisadores
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 2001
• Data de Término da vigência: 30 de novembro de 2001
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Joao Francisco Justo Filho
• Beneficiário: Joao Francisco Justo Filho
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 00/11438-7 - Modelamento teórico de propriedades eletrônicas e estruturais de ligas semicondutoras, AP.JP
• Assunto(s): Materiais amorfos Semicondutores Métodos ab initio Silício Estrutura eletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Amorfos | Defeitos Em Semicondutores | Ligas Semicondutoras | Metodos Ab Initio | Silicio

Resumo

Este projeto tem por objetivo criar um núcleo de estudos teóricos de materiais semicondutores no grupo de Novos Materiais do Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos da EPUSP. Utilizando o estado da arte em simulações computacionais, seja através de métodos de primeiros princípios ou potenciais empíricos, iremos investigar propriedades eletrônicas e estruturais de materiais semicondutores (nas fases cristalina, poli-cristalina ou amorfa) que são geralmente utilizados na fabricação de dispositivos opto-eletrônicos. Pretendemos investigar as propriedades microscópicas relacionadas com o ordenamento químico, transições óticas e a segregação de defeitos em diversos materiais semicondutores, como o silício amorfo hidrogenado, o nitreto de silício amorfo, o carbeto de silício e o nitreto de boro. (AU)