Estudo microscópico das propriedades estruturais e eletrônicas de impurezas dopantes em semicondutores amorfos

• Processo: 99/00698-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 1999
• Data de Término da vigência: 30 de abril de 2003
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Alex Antonelli
• Beneficiário: Caetano Rodrigues Miranda
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Dopagem eletrônica Semicondutores Materiais amorfos Método de Monte Carlo
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: A-Ge:H E A -Si:H | Dinamica Molecular Ab-Initio | Dopagem Substitucional | Impurezas Do Grupo Iii | Metodo Monte Carlo

Resumo

Estudo sistemático da dopagem substitucional de impurezas do grupo III (B,Al,Ga,In) em semicondutores amorfos hidrogenados (A-Ge.H e A-Si:H) utilizando uma combinação do método monte-carlo através da técnica "simulated annealing" para gerar estruturas amorfas com o método da dinâmica molecular "ab-initio" para determinar as propriedades estruturais e eletrônicas das impurezas dopantes. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

MIRANDA, Caetano Rodrigues. Da ordem à desordem: uma visao da ciência dos materiais computacional. 2003. Tese de Doutorado - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin Campinas, SP.