Caracterização eletro-ótica de filmes finos de SnO2 dopados com Er e/ou Yb

• Processo: 00/05100-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 2000
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 2002
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Luis Vicente de Andrade Scalvi
• Beneficiário: Evandro Augusto de Morais
• Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Filmes finos Dióxido de estanho Óxidos semicondutores Processo sol-gel Terras raras
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dioxido De Estranho | Filmes Finos | Semicondutores Oxidos | Sol-Gel | Terra-Rara

Resumo

Investigação de fenômenos eletro-óticos no semicondutor óxido SnO2 depositado na forma de filmes finos pela técnica de dip-coating via sol-gel, dopados com terras-raras, particularmente Er e Yb. O principal objetivo é estudar as transições do íon terra-rara numa matriz de alta transparência e boa condutividade elétrica, que é o dióxido de estanho. Deverão ser depositados filmes com - diversas concentrações de dopante e, realizados experimentos de fotocondutividade, fotoluminescência e absorção ótica em função da temperatura. Os filmes depositados também serão analisados pelas técnicas de reflexão especular de raios-X e difração de raios-X. A influência da pressão parcial de oxigênio também deverá ser levada em conta na interpretação dos dados obtidos. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

MORAIS, Evandro Augusto de. Incorporação de Er em SnO2 obtido via sol-gel: uma análise de xerogéis e filmes finos. 2002. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física de São Carlos (IFSC/BT) São Carlos.