Modelamento das características optoeletrônicas de fotodetectores MSM (metal-semicondutor-metal) de heterojunção

• Processo: 97/01591-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 1997
• Data de Término da vigência: 30 de novembro de 2001
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física Atômica e Molecular
• Pesquisador responsável: Murilo Araujo Romero
• Beneficiário: Regiane Aparecida Ragi Pereira
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil

Resumo

Investigaremos processos de espalhamento de átomos por diferentes estados do campo luminoso estacionário, em cavidades de alta qualidade. A exemplo de estudos realizados previamente por nosso grupo de pesquisa, envolvendo interação ressonante [Phys. Lett. A194, 153 (1994); A200, 7 (1995)], estudaremos também processos de espalhamento envolvendo interação não-ressonante, problema relacionado ao "prisma quântico". Nos dois casos a influência de diversos estados iniciais do campo serão estudados, com ênfase especial à influência de buracos na distribuição de número de fótons p" sobre o espalhamento atômico. (AU)

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

ANWAR‚ A.; NABET‚ B.; RAGI‚ R.; MANZOLI‚ JE; ROMERO‚ MA. Gate controlled 2-DEG varactor for VCO applications in microwave circuits. Microelectronics Journal, v. 33, n. 5, p. 495-500, 2002. (96/11290-2, 97/01591-8)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

PEREIRA, Regiane Aparecida Ragi. Contribuições para a modelagem de dispositivos semicondutores baseados em contatos Schottky heterodimensionais. 2003. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI) São Paulo.